өнімдер

Өнімдер

Фланецті аяқтау

Тізбектің соңына фланецті аяқтаулар орнатылады, олар тізбекте берілетін сигналдарды жұтады және сигналдың шағылысуын болдырмайды, осылайша тізбек жүйесінің беру сапасына әсер етеді.

Фланецті терминал фланецтері мен патчтары бар жалғыз өткізгіш терминал резисторын дәнекерлеу арқылы жиналады.Фланец өлшемі әдетте орнату саңылаулары мен терминал кедергі өлшемдерінің тіркесіміне негізделген.Тұтынушының пайдалану талаптарына сәйкес теңшеу де жасалуы мүмкін.


  • :
  • Өнімнің егжей-тегжейі

    Өнім тегтері

    Фланецті аяқтау

    Фланецті аяқтау
    Негізгі техникалық сипаттамалар:

    Номиналды қуат: 5-1500 Вт;
    Субстрат материалдары: BeO, AlN, Al2O3
    Номиналды кедергі мәні: 50Ω
    Қарсылыққа төзімділік: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Температура коэффициенті:<150ppm/℃
    Жұмыс температурасы: -55~+150℃
    Фланецті жабын: қосымша никель немесе күміс жалату
    ROHS стандарты: сәйкес келеді
    Қолданылатын стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Қорғасын ұзындығы: деректер парағында көрсетілгендей L
    (клиент талаптарына сәйкес теңшеуге болады)

    zxczxc1
    Қуат
    (W)
    Жиілік
    Ауқым
    Өлшемі (бірлік: мм) СубстратМатериал Конфигурация Деректер тізімі
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  1-сурет   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  1-сурет   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  2-сурет   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2-сурет   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  1-сурет   RFT50A-10TM1304
    ӘлН 1-сурет   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  1-сурет   RFT50A-10TM1104
    ӘлН 1-сурет   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 2-сурет   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      ӘлН 2-сурет   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 1-сурет   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO 1-сурет   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 2-сурет   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2-сурет   RFT50-10TM7705I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2-сурет   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ӘлН 1-сурет   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 ӘлН 1-сурет   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ӘлН 2-сурет   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 1-сурет   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO 1-сурет   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO 2-сурет   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO 2-сурет   RFT50-10TM7705I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 ӘлН 1-сурет   RFT50N-30TJ1606
    BeO 1-сурет   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ӘлН 1-сурет   RFT50N-30TJ2006
    BeO 1-сурет   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ӘлН 2-сурет   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO 2-сурет   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 ӘлН 1-сурет   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO 1-сурет   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ӘлН 1-сурет   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO 1-сурет   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ӘлН 2-сурет   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO 2-сурет   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Қуат
    (W)
    Жиілік
    Ауқым
    Өлшемдері (бірлік: мм) Субстрат
    Материал
    Конфигурация Деректер парағы(PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO 1-сурет   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO 2-сурет   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO 1-сурет   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO 1-сурет   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 4-сурет   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1-сурет   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO 2-сурет   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO 1-сурет   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 ӘлН 1-сурет   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ӘлН 1-сурет   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 ӘлН 1-сурет   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 4-сурет   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN 1-сурет   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO 1-сурет   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 4-сурет   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 3-сурет   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO 1-сурет   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO 2-сурет   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 3-сурет   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1-сурет   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 3-сурет   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1-сурет   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1-сурет   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1-сурет   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO 1-сурет   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO 1-сурет   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1-сурет   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1-сурет   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO 1-сурет   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO 5-сурет   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO 5-сурет   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO 5-сурет   RFT50-1500TM5078

    Шолу

    Фланец әдетте мыс жалатылған никель немесе күміс өңдеуден жасалған.Қарсылық субстрат әдетте бериллий оксидінен, алюминий нитридінен және алюминий оксидінен қуат талаптарына және жылуды тарату шарттарына сәйкес басып шығарудан жасалған.

    Фланецті аяқтау, жетекші аяқтау сияқты, негізінен тізбектің соңына жіберілетін сигнал толқындарын жұту, сигналдың шағылысуының тізбекке әсер етуіне жол бермеу және тізбек жүйесінің беру сапасын қамтамасыз ету үшін қолданылады.

    Фланецті аяқтау фланецті және фланецтегі монтаждау тесіктеріне байланысты патч резисторлармен салыстырғанда оңай орнату сипаттамасына ие.


  • Алдыңғы:
  • Келесі:

  • Хабарламаңызды осы жерге жазып, бізге жіберіңіз